Товар опубликован в разделах:
IPD90N03S4L03ATMA1
Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; полевой; 30В; 90А; Idm: 360А
Характеристики
| Общие | |
|---|---|
| Производитель | INFINEON TECHNOLOGIES |
| Технология | OptiMOS™ T2 |
| Монтаж | SMD |
| Рассеиваемая мощность | 94Вт |
| Корпус | DPAK |
| Вид упаковки | бобина |
| Напряжение затвор-исток | ±16В |
| Ток стока в импульсном режиме | 360А |
| Заряд затвора | 75нC |
| Полярность | полевой |
| Ток стока | 90А |
| Вид канала | обогащенный |
| Напряжение сток-исток | 30В |
| Тип транзистора | N-MOSFET |
| Сопротивление в открытом состоянии | 3,3мОм |