Товар опубликован в разделах:
IPD80R900P7
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 3,9А; 45Вт; PG-TO252-3
Характеристики
Общие | |
---|---|
Производитель | INFINEON TECHNOLOGIES |
Тип транзистора | N-MOSFET |
Технология | CoolMOS™ P7 |
Полярность | полевой |
Напряжение сток-исток | 800В |
Ток стока | 3,9А |
Рассеиваемая мощность | 45Вт |
Корпус | PG-TO252-3 |
Напряжение затвор-исток | ±20В |
Сопротивление в открытом состоянии | 900мОм |
Монтаж | SMD |
Заряд затвора | 15нC |
Характеристики полупроводниковых элементов | ESD protected gate |