Товар опубликован в разделах:
Полупроводники и аксессуары > Транзисторы > Транзисторы униполярные > Транзисторы с каналом типа N > Транзисторы с каналом N SMD
Полупроводники и аксессуары > Транзисторы > Транзисторы униполярные > Транзисторы с каналом типа N > Транзисторы с каналом N SMD
IPD65R950CFDBTMA1 Транзистор: МОП n-канальный, полевой, 650В, 3,9А, 36,7Вт, CoolMOS™
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 3,9А; 36,7Вт; PG-TO252-3
Файлы документации
Характеристики
Общие | |
---|---|
Код завода | IPD65R950CFDBTMA1 |
Корпус | PG-TO252-3 |
Монтаж | SMD |
Мощность | 36.7Вт |
Напряжение затвор-исток | ±20В |
Напряжение сток-исток | 650В |
Полярность | полевой |
Сопротивление в открытом состоянии | 950мОм |
Технология | CoolMOS™ |
Тип транзистора | МОП n-канальный |
Ток стока | 3.9А |