IPD65R660CFDBTMA1 Транзистор: МОП n-канальный, полевой, 650В, 6А, 62,5Вт, PG-TO252-3

  • IPD65R660CFDBTMA1 - 228x228

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 6А; 62,5Вт; PG-TO252-3

Файлы документации

Характеристики

Общие
Код завода IPD65R660CFDBTMA1
Корпус PG-TO252-3
Монтаж SMD
Мощность 62.5Вт
Напряжение затвор-исток ±20В
Напряжение сток-исток 650В
Полярность полевой
Сопротивление в открытом состоянии 660мОм
Технология CoolMOS™
Тип транзистора МОП n-канальный
Ток стока
  • Цена от
Количество:

Материалы на сайте носят информационный характер, не является публичной офертой