Товар опубликован в разделах:
Полупроводники и аксессуары > Транзисторы > Транзисторы униполярные > Транзисторы с каналом типа N > Транзисторы с каналом N SMD
Полупроводники и аксессуары > Транзисторы > Транзисторы униполярные > Транзисторы с каналом типа N > Транзисторы с каналом N SMD
IPD079N06L3GBTMA1 Транзистор: N-MOSFET, полевой, 60В, 50А, 79Вт, PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 50А; 79Вт; PG-TO252-3
Файлы документации
Характеристики
| Общие | |
|---|---|
| Код завода | IPD079N06L3GBTMA1 |
| Корпус | PG-TO252-3 |
| Монтаж | SMD |
| Мощность | 79Вт |
| Напряжение затвор-исток | ±20В |
| Напряжение сток-исток | 60В |
| Полярность | полевой |
| Сопротивление в открытом состоянии | 7.9мОм |
| Технология | OptiMOS™ 3 |
| Тип транзистора | N-MOSFET |
| Ток стока | 50А |