Товар опубликован в разделах:
IPB80N04S2H4
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 80А; 300Вт; PG-TO263-3
Характеристики
Общие | |
---|---|
Производитель | INFINEON TECHNOLOGIES |
Тип транзистора | N-MOSFET |
Технология | OptiMOS™ |
Полярность | полевой |
Напряжение сток-исток | 40В |
Ток стока | 80А |
Рассеиваемая мощность | 300Вт |
Корпус | PG-TO263-3 |
Напряжение затвор-исток | ±20В |
Сопротивление в открытом состоянии | 3,7мОм |
Монтаж | SMD |
Заряд затвора | 103нC |