Товар опубликован в разделах:
IPB180N04S4H0
Транзистор: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; полевой; 40В; 180А; 250Вт
Характеристики
Общие | |
---|---|
Производитель | INFINEON TECHNOLOGIES |
Тип транзистора | N-MOSFET |
Технология | OptiMOS™ T2 |
Полярность | полевой |
Напряжение сток-исток | 40В |
Ток стока | 180А |
Рассеиваемая мощность | 250Вт |
Корпус | PG-TO263-7 |
Напряжение затвор-исток | ±20В |
Сопротивление в открытом состоянии | 1,1мОм |
Монтаж | SMD |
Заряд затвора | 173нC |