Товар опубликован в разделах:
Полупроводники и аксессуары > Транзисторы > Транзисторы униполярные > Транзисторы с каналом типа N > Транзисторы с каналом N SMD
Полупроводники и аксессуары > Транзисторы > Транзисторы униполярные > Транзисторы с каналом типа N > Транзисторы с каналом N SMD
IPB027N10N3GATMA1 Транзистор: N-MOSFET, полевой, 100В, 120А, 300Вт, PG-TO263-7
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 120А; 300Вт; PG-TO263-7
Файлы документации
Характеристики
| Общие | |
|---|---|
| Код завода | IPB027N10N3GATMA1 |
| Корпус | PG-TO263-7 |
| Монтаж | SMD |
| Мощность | 300Вт |
| Напряжение затвор-исток | ±20В |
| Напряжение сток-исток | 100В |
| Полярность | полевой |
| Сопротивление в открытом состоянии | 2.7мОм |
| Технология | OptiMOS™ 3 |
| Тип транзистора | N-MOSFET |
| Ток стока | 120А |