FGA50N100BNTDTU - Транзистор: IGBT, полевой, 1кВ, 50А, 156Вт, TO3P

  • FGA50N100BNTDTU - 228x228

Транзистор: IGBT; 1кВ; 35А; 63Вт; TO3P

Файлы документации

Характеристики

Общие
Код завода FGA50N100BNTDTU
Корпус TO3P
Монтаж THT
Мощность 156Вт
Напряжение коллектор-эмиттер 1кВ
Полярность полевой
Тип транзистора IGBT
Ток коллектора 50А
  • Цена от
Количество:

Материалы на сайте носят информационный характер, не является публичной офертой