DS1306E+ - Микросхема RTC, 3-проводный, SPI, NV SRAM, 96Б, 2÷5,5ВDC, TSSOP20

  • DS1306E+ - 228x228

Микросхема RTC; 3-проводный,SPI; NV SRAM; 96Б; TSSOP20; 2÷5,5В

Файлы документации

Характеристики

Общие
Вид памяти NV SRAM
Выходное напряжение 0.4...2.4В
Емкость памяти 96Б
Код завода DS1306E+
Корпус TSSOP20
Монтаж SMD
Тип микросхемы микросхема RTC
Ток в режиме покоя 450нА
Ток питания DC 1.28мА
Формат даты YY-MM-DD
Формат часов HH:MM:SS
Напряжение питания 2...5.5В DC
  • Цена от
Количество:

Материалы на сайте носят информационный характер, не является публичной офертой