DS1302ZN+ - Микросхема RTC, 3-проводный, NV SRAM, 31Б, 2÷5,5ВDC, SO8

  • DS1302ZN+ - 228x228

Микросхема RTC; 3-проводный; NV SRAM; 31Б; SO8; 2÷5,5В

Файлы документации

Характеристики

Общие
Вид памяти NV SRAM
Выходное напряжение 0.4...2.4В
Емкость памяти 31Б
Интерфейс 3-проводный
Код завода DS1302ZN+
Корпус SO8
Монтаж SMD
Тип микросхемы микросхема RTC
Ток в режиме покоя 200нА
Ток питания DC 1.28мА
Формат даты YY-MM-DD
Формат часов HH:MM:SS
Напряжение питания 2...5.5В DC
  • Цена от
Количество:

Материалы на сайте носят информационный характер, не является публичной офертой