DS12CR887-33+ Микросхема RTC, SRAM, 114Б, 2÷5,5ВDC, EDIP24

Микросхема RTC; SRAM; 114Б; EDIP24; 2÷5,5В

Характеристики

Общие
Вид памяти SRAM
Выходное напряжение 0.4...2.4В
Емкость памяти 114Б
Код завода DS12CR887-33+
Корпус EDIP24
Монтаж THT
Тип микросхемы микросхема RTC
Ток питания DC 2мА
Напряжение питания 2...5.5В DC
  • Цена от
Количество:

Материалы на сайте носят информационный характер, не является публичной офертой