DS12C887+ - Микросхема RTC, Multiplexed, NV SRAM, 113Б, 4,5÷5,5ВDC, DIP24

  • DS12C887+ - 228x228

Микросхема RTC; Multiplexed; NV SRAM; 113Б; DIP24; 4,5÷5,5В

Файлы документации

Характеристики

Общие
Вид памяти NV SRAM
Емкость памяти 113Б
Интерфейс Multiplexed
Код завода DS12C887+
Корпус DIP24
Монтаж THT
Тип микросхемы микросхема RTC
Ток питания DC 15мА
Формат даты YYYY-MM-DD
Формат часов HH:MM:SS
Напряжение питания 4.5...5.5В DC
  • Цена от
Количество:

Материалы на сайте носят информационный характер, не является публичной офертой