Товар опубликован в разделах:
Полупроводники и аксессуары > Интегральные схемы > Память - интегральные схемы > Запомин. уст-ва SRAM - интеграль. схемы > Запоминающие уст-ва SRAM параллельные
Полупроводники и аксессуары > Интегральные схемы > Память - интегральные схемы > Запомин. уст-ва SRAM - интеграль. схемы > Запоминающие уст-ва SRAM параллельные
DS1230Y-120+ - Микросхема памяти, NV SRAM, 32Кx8бит, 4,5÷5,5В, 120нс, DIP28
Память; NV SRAM; 32Кx8бит; 4,5÷5,5В; 120нс; DIP28
Характеристики
Общие | |
---|---|
Вид памяти | NV SRAM |
Время доступа | 120нс |
Емкость памяти | 262144бит |
Код завода | DS1230Y-120+ |
Корпус | DIP28 |
Монтаж | THT |
Рабочее напряжение | 4.5...5.5В |
Структура памяти | 32Кx8бит |
Тип микросхемы | микросхема памяти |