DS1230Y-120+ - Микросхема памяти, NV SRAM, 32Кx8бит, 4,5÷5,5В, 120нс, DIP28

  • DS1230Y-120+ - 228x228

Память; NV SRAM; 32Кx8бит; 4,5÷5,5В; 120нс; DIP28

Характеристики

Общие
Вид памяти NV SRAM
Время доступа 120нс
Емкость памяти 262144бит
Код завода DS1230Y-120+
Корпус DIP28
Монтаж THT
Рабочее напряжение 4.5...5.5В
Структура памяти 32Кx8бит
Тип микросхемы микросхема памяти
  • Цена от
Количество:

Материалы на сайте носят информационный характер, не является публичной офертой