DS1225Y-200+ - Микросхема памяти, NV SRAM, 8Кx8бит, 4,5÷5,5В, 200нс, DIP28

  • DS1225Y-200+ - 228x228

Память; NV SRAM; 8Кx8бит; 4,5÷5,5В; 200нс; DIP28

Файлы документации

Характеристики

Общие
Вид памяти NV SRAM
Время доступа 200нс
Емкость памяти 64кбит
Код завода DS1225Y-200+
Корпус DIP28
Монтаж THT
Рабочее напряжение 4.5...5.5В
Структура памяти 8Кx8бит
Тип микросхемы микросхема памяти
  • Цена от
Количество:

Материалы на сайте носят информационный характер, не является публичной офертой