Товар опубликован в разделах:


DMP32D4SFB-7B

Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -0,4А; 0,5Вт; X1-DFN1006-3

Характеристики

Общие
Производитель DIODES INCORPORATED
Тип транзистора P-MOSFET
Полярность полевой
Напряжение сток-исток -30В
Ток стока -0,4А
Рассеиваемая мощность 0,5Вт
Корпус X1-DFN1006-3
Напряжение затвор-исток ±20В
Сопротивление в открытом состоянии 2,4Ом
Монтаж SMD
Вид упаковки бобина
Вид упаковки лента
Вид канала обогащенный
Характеристики полупроводниковых элементов ESD protected gate
  • Цена от
Количество:

Материалы на сайте носят информационный характер, не является публичной офертой