Товар опубликован в разделах:
DGD2106MS8-13
Driver; integrated bootstrap functionality; -650÷350мА; SO8
Характеристики
| Общие | |
|---|---|
| Производитель | DIODES INCORPORATED |
| Рабочая температура | -40...125°C |
| Характеристики интегральных схем | integrated bootstrap functionality |
| Класс напряжения | 600В |
| Вид упаковки | бобина |
| Вид упаковки | лента |
| Корпус | SO8 |
| Вид микросхемы | high-/low-side |
| Вид микросхемы | контроллер затвора |
| Кол-во каналов | 2 |
| Топология | полумост IGBT |
| Топология | полумост MOSFET |
| Монтаж | SMD |
| Напряжение питания | 10...20В |
| Выходной ток | -650...350мА |
| Тип микросхемы | driver |
| Защита | от снижения напряжения |
| Рассеиваемая мощность | 625мВт |