Товар опубликован в разделах:
BF5030WH6327
Транзистор: N-MOSFET; полевой; RF; 8В; 25мА; 200мВт; SOT343; SMT
Характеристики
| Общие | |
|---|---|
| Производитель | INFINEON TECHNOLOGIES |
| Вид упаковки | бобина |
| Вид упаковки | лента |
| Усиление | 24дБ |
| Рассеиваемая мощность | 200мВт |
| Полярность | полевой |
| Характеристики полупроводниковых элементов | dual gate |
| Ток стока | 25мА |
| Вид канала | обедненный |
| Напряжение сток-исток | 8В |
| Вид транзистора | RF |
| Электрический монтаж | SMT |
| Тип транзистора | N-MOSFET |
| Корпус | SOT343 |
| Частота | 800МГц |
| Напряжение затвор-исток | ±6В |