Товар опубликован в разделах:
Полупроводники и аксессуары > Интегральные схемы > Память - интегральные схемы > Запомин. уст-ва SRAM - интеграль. схемы > Запоминающие уст-ва SRAM параллельные
Полупроводники и аксессуары > Интегральные схемы > Память - интегральные схемы > Запомин. уст-ва SRAM - интеграль. схемы > Запоминающие уст-ва SRAM параллельные
AS6C8016-55BINTR - Микросхема памяти, synchronous, SRAM, 512Кx16бит, 2,7÷5,12В, 55нс
Память; SRAM,асинхронная; 512Кx16бит; 2,7÷5,12В; 55нс; TFBGA48
Файлы документации
Характеристики
| Общие | |
|---|---|
| Вид памяти | SRAM |
| Время доступа | 55нс |
| Емкость памяти | 8Мбит |
| Код завода | AS6C8016-55BINTR |
| Корпус | TFBGA48 |
| Монтаж | SMD |
| Рабочее напряжение | 2.7...5.12В |
| Структура памяти | 512Кx16бит |
| Тип микросхемы | synchronous |
| Характерные особенности | low power |