AS6C8008-55BIN - Микросхема памяти, SRAM, 1024Кx8бит, 2,7÷5,7В, 55нс, TFBGA48

Память; SRAM,асинхронная; 1024Кx8бит; 2,7÷5,7В; 55нс; TFBGA48

Файлы документации

Характеристики

Общие
Вид памяти SRAM
Время доступа 55нс
Емкость памяти 8Мбит
Код завода AS6C8008-55BIN
Корпус TFBGA48
Монтаж SMD
Рабочее напряжение 2.7...5.7В
Структура памяти 1024Кx8бит
Тип микросхемы микросхема памяти
  • Цена от
Количество:

Материалы на сайте носят информационный характер, не является публичной офертой