Товар опубликован в разделах:
Полупроводники и аксессуары > Интегральные схемы > Память - интегральные схемы > Запомин. уст-ва SRAM - интеграль. схемы > Запоминающие уст-ва SRAM параллельные
Полупроводники и аксессуары > Интегральные схемы > Память - интегральные схемы > Запомин. уст-ва SRAM - интеграль. схемы > Запоминающие уст-ва SRAM параллельные
AS6C4016-55BINTR - Микросхема памяти, synchronous, SRAM, 256Кx16бит, 2,7÷5,5В, 55нс
Память; SRAM,асинхронная; 256Кx16бит; 2,7÷5,5В; 55нс; TFBGA48
Файлы документации
Характеристики
Общие | |
---|---|
Вид памяти | SRAM |
Время доступа | 55нс |
Емкость памяти | 4Мбит |
Код завода | AS6C4016-55BINTR |
Корпус | TFBGA48 |
Монтаж | SMD |
Рабочее напряжение | 2.7...5.5В |
Структура памяти | 256Кx16бит |
Тип микросхемы | synchronous |
Характерные особенности | low power |