Товар опубликован в разделах:
Полупроводники и аксессуары > Интегральные схемы > Память - интегральные схемы > Запомин. уст-ва DRAM - интеграль. схемы
Полупроводники и аксессуары > Интегральные схемы > Память - интегральные схемы > Запомин. уст-ва DRAM - интеграль. схемы
AS4C16M16SA-6TIN Микросхема памяти, SDRAM, 4M x16бит x4, 3,3В, 5нс, TSOP54
Память; SDRAM; 16Mx32бит; 3,3В; 166МГц; 5нс; TSOP54; -40÷85°C
Файлы документации
Характеристики
Общие | |
---|---|
Вид памяти | SDRAM |
Время доступа | 5нс |
Емкость памяти | 256Мбит |
Код завода | AS4C16M16SA-6TIN |
Корпус | TSOP54 |
Монтаж | SMD |
Рабочее напряжение | 3.3В |
Структура памяти | 4M x16бит x4 |
Тип микросхемы | микросхема памяти |