M29W400DB45N6E Микросхема памяти, Flash EPROM, parallel, 512Кx8/256Кx16бит

  • M29W400DB45N6E - 228x228

Масса брутто: 9.35 g Групповая упаковка [pcs]: 50

Характеристики

Общие
Вид памяти Flash EPROM
Время доступа 45нс
Емкость памяти 4Мбит
Интерфейс parallel
Код завода M29W400DB45N6E
Корпус TSOP48
Монтаж SMD
Рабочее напряжение 2.7...3.6В
Структура памяти 512Кx8/256Кx16бит
Тип микросхемы микросхема памяти
  • Цена от
Количество:

Материалы на сайте носят информационный характер, не является публичной офертой