Товар опубликован в разделах:
Полупроводники и аксессуары > Интегральные схемы > Память - интегральные схемы > Запомин. уст-ва FLASH - интеграль. схемы > Запоминающие уст-ва FLASH параллельные


M29W160EB70N6E - Микросхема памяти, Flash EPROM, parallel, 2Mx8/1Mx16бит, 70нс

  • M29W160EB70N6E - 228x228

Масса брутто: 2.89 g Групповая упаковка [pcs]: 96

Файлы документации

Характеристики

Общие
Вид памяти Flash EPROM
Время доступа 70нс
Емкость памяти 16Мбит
Интерфейс parallel
Код завода M29W160EB70N6E
Корпус TSOP48
Монтаж SMD
Рабочее напряжение 2.7...3.6В
Структура памяти 2Mx8/1Mx16бит
Тип микросхемы микросхема памяти
  • Производитель: MICRON
  • Модель: M29W160EB70N6E
  • Цена от
Количество:

Материалы на сайте носят информационный характер, не является публичной офертой