Товар опубликован в разделах:
Полупроводники и аксессуары > Транзисторы > Транзисторы униполярные > Транзисторы с каналом типа N > Транзисторы с каналом N SMD
Полупроводники и аксессуары > Транзисторы > Транзисторы униполярные > Транзисторы с каналом типа N > Транзисторы с каналом N SMD
IRFHS8342TR2PBF - Транзистор: МОП n-канальный, полевой, HEXFET, 30В, 8,5А, 2,1Вт
Масса брутто: 0.2 g Групповая упаковка [pcs]: 400
Характеристики
Общие | |
---|---|
Transistor kind | HEXFET |
Заряд затвора | 4.2нC |
Код завода | IRFHS8342TR2PBF |
Корпус | PQFN2X2 |
Монтаж | SMD |
Мощность | 2.1Вт |
Напряжение затвор-исток | 20В |
Напряжение сток-исток | 30В |
Полярность | полевой |
Сопротивление в открытом состоянии | 16мОм |
Тепловое сопротивление переход-корпус | 13К/Вт |
Тип транзистора | МОП n-канальный |
Ток стока | 8.5А |