Товар опубликован в разделах:
Полупроводники и аксессуары > Транзисторы > Транзисторы униполярные > Транзисторы с каналом типа P > Транзисторы с каналом P SMD
Полупроводники и аксессуары > Транзисторы > Транзисторы униполярные > Транзисторы с каналом типа P > Транзисторы с каналом P SMD
IRF9953PBF - Транзистор: МОП р-канал.x2, полевой, HEXFET, -30В, -2,3А, 2Вт, SO8
Масса брутто: 0.19 g Групповая упаковка [pcs]: 760
Файлы документации
Характеристики
Общие | |
---|---|
Transistor kind | HEXFET |
Заряд затвора | 6.1нC |
Код завода | IRF9953PBF |
Корпус | SO8 |
Монтаж | SMD |
Мощность | 2Вт |
Напряжение затвор-исток | 20В |
Напряжение сток-исток | -30В |
Полярность | полевой |
Сопротивление в открытом состоянии | 250мОм |
Тепловое сопротивление переход-среда | 62.5К/Вт |
Тип транзистора | P-MOSFET x2 |
Ток стока | -2.3А |