IRF9953PBF - Транзистор: МОП р-канал.x2, полевой, HEXFET, -30В, -2,3А, 2Вт, SO8

  • IRF9953PBF - 228x228

Масса брутто: 0.19 g Групповая упаковка [pcs]: 760

Файлы документации

Характеристики

Общие
Transistor kind HEXFET
Заряд затвора 6.1нC
Код завода IRF9953PBF
Корпус SO8
Монтаж SMD
Мощность 2Вт
Напряжение затвор-исток 20В
Напряжение сток-исток -30В
Полярность полевой
Сопротивление в открытом состоянии 250мОм
Тепловое сопротивление переход-среда 62.5К/Вт
Тип транзистора P-MOSFET x2
Ток стока -2.3А
  • Цена от
Количество:

Материалы на сайте носят информационный характер, не является публичной офертой