IRF8707PBF - Транзистор: МОП n-канальный, полевой, HEXFET, 30В, 11А, 2,5Вт, SO8

  • IRF8707PBF - 228x228

Масса брутто: 0.23 g Групповая упаковка [pcs]: 570

Файлы документации

Характеристики

Общие
Transistor kind HEXFET
Заряд затвора 6.2нC
Код завода IRF8707PBF
Корпус SO8
Монтаж SMD
Мощность 2.5Вт
Напряжение затвор-исток 20В
Напряжение сток-исток 30В
Полярность полевой
Сопротивление в открытом состоянии 11.9мОм
Тепловое сопротивление переход-среда 50К/Вт
Тип транзистора МОП n-канальный
Ток стока 11А
  • Цена от
Количество:

Материалы на сайте носят информационный характер, не является публичной офертой