IRF8513PBF - Транзистор: МОП n-канал.x2, полевой, HEXFET, 30В, 8А, 1,5Вт, SO8

  • IRF8513PBF - 228x228

Масса брутто: 0.3 g Групповая упаковка [pcs]: 100

Характеристики

Общие
Transistor kind HEXFET
Заряд затвора 5.7нC
Код завода IRF8513PBF
Корпус SO8
Монтаж SMD
Мощность 1.5Вт
Напряжение затвор-исток 20В
Напряжение сток-исток 30В
Полярность полевой
Сопротивление в открытом состоянии 12.7мОм
Тепловое сопротивление переход-среда 62.5К/Вт
Тип транзистора N-MOSFET x2
Ток стока
  • Цена от
Количество:

Материалы на сайте носят информационный характер, не является публичной офертой