Товар опубликован в разделах:
Полупроводники и аксессуары > Транзисторы > Транзисторы униполярные > Транзисторы с каналом типа N > Транзисторы с каналом N SMD
Полупроводники и аксессуары > Транзисторы > Транзисторы униполярные > Транзисторы с каналом типа N > Транзисторы с каналом N SMD
IRF8313PBF - Транзистор: МОП n-канал.x2, полевой, HEXFET, 30В, 9,7А, 2Вт, SO8
Масса брутто: 0.18 g Групповая упаковка [pcs]: 380
Файлы документации
Характеристики
Общие | |
---|---|
Transistor kind | HEXFET |
Заряд затвора | 6нC |
Код завода | IRF8313PBF |
Корпус | SO8 |
Монтаж | SMD |
Мощность | 2Вт |
Напряжение затвор-исток | 20В |
Напряжение сток-исток | 30В |
Полярность | полевой |
Сопротивление в открытом состоянии | 15.5мОм |
Тепловое сопротивление переход-среда | 62.5К/Вт |
Тип транзистора | N-MOSFET x2 |
Ток стока | 9.7А |