Товар опубликован в разделах:
Полупроводники и аксессуары > Транзисторы > Транзисторы униполярные > Транзисторы с каналом типа N > Транзисторы с каналом N SMD
Полупроводники и аксессуары > Транзисторы > Транзисторы униполярные > Транзисторы с каналом типа N > Транзисторы с каналом N SMD
IRF8252PBF - Транзистор: МОП n-канальный, полевой, HEXFET, 25В, 25А, 2,5Вт, SO8
Масса брутто: 0.18 g Групповая упаковка [pcs]: 190
Файлы документации
Характеристики
Общие | |
---|---|
Transistor kind | HEXFET |
Заряд затвора | 35нC |
Код завода | IRF8252PBF |
Корпус | SO8 |
Монтаж | SMD |
Мощность | 2.5Вт |
Напряжение затвор-исток | 20В |
Напряжение сток-исток | 25В |
Полярность | полевой |
Сопротивление в открытом состоянии | 2.7мОм |
Тепловое сопротивление переход-среда | 50К/Вт |
Тип транзистора | МОП n-канальный |
Ток стока | 25А |