IRF7907PBF - Транзистор: МОП n-канал.x2, полевой, HEXFET, 30В, 9,1А, 2Вт, SO8

  • IRF7907PBF - 228x228

Масса брутто: 0.2 g Групповая упаковка [pcs]: 285

Файлы документации

Характеристики

Общие
Transistor kind HEXFET
Заряд затвора 6.7нC
Код завода IRF7907PBF
Корпус SO8
Монтаж SMD
Мощность 2Вт
Напряжение затвор-исток 20В
Напряжение сток-исток 30В
Полярность полевой
Сопротивление в открытом состоянии 16.4мОм
Тепловое сопротивление переход-среда 62.5К/Вт
Тип транзистора N-MOSFET x2
Ток стока 9.1А
  • Цена от
Количество:

Материалы на сайте носят информационный характер, не является публичной офертой