IRF7855PBF - Транзистор: МОП n-канальный, полевой, HEXFET, 60В, 12А, 2,5Вт, SO8

  • IRF7855PBF - 228x228

Масса брутто: 0.23 g Групповая упаковка [pcs]: 380

Файлы документации

Характеристики

Общие
Transistor kind HEXFET
Заряд затвора 26нC
Код завода IRF7855PBF
Корпус SO8
Монтаж SMD
Мощность 2.5Вт
Напряжение затвор-исток 20В
Напряжение сток-исток 60В
Полярность полевой
Сопротивление в открытом состоянии 9.4мОм
Тепловое сопротивление переход-среда 50К/Вт
Тип транзистора МОП n-канальный
Ток стока 12А
  • Цена от
Количество:

Материалы на сайте носят информационный характер, не является публичной офертой