IRF7807PBF - Транзистор: МОП n-канальный, полевой, HEXFET, 30В, 8,3А, 2,5Вт, SO8

  • IRF7807PBF - 228x228

Масса брутто: 0.24 g Групповая упаковка [pcs]: 285

Характеристики

Общие
Transistor kind HEXFET
Заряд затвора 12нC
Код завода IRF7807PBF
Корпус SO8
Монтаж SMD
Мощность 2.5Вт
Напряжение затвор-исток 12В
Напряжение сток-исток 30В
Полярность полевой
Сопротивление в открытом состоянии 25мОм
Тепловое сопротивление переход-среда 50К/Вт
Тип транзистора МОП n-канальный
Ток стока 8.3А
  • Цена от
Количество:

Материалы на сайте носят информационный характер, не является публичной офертой