IRF7473PBF - Транзистор: МОП n-канальный, полевой, HEXFET, 100В, 6,9А, 2,5Вт

  • IRF7473PBF - 228x228

Масса брутто: 0.41 g Групповая упаковка [pcs]: 25

Файлы документации

Характеристики

Общие
Transistor kind HEXFET
Заряд затвора 61нC
Код завода IRF7473PBF
Корпус SO8
Монтаж SMD
Мощность 2.5Вт
Напряжение затвор-исток 20В
Напряжение сток-исток 100В
Полярность полевой
Сопротивление в открытом состоянии 26мОм
Тепловое сопротивление переход-среда 50К/Вт
Тип транзистора МОП n-канальный
Ток стока 6.9А
  • Цена от
Количество:

Материалы на сайте носят информационный характер, не является публичной офертой