IRF7379QPBF - Транзистор: МОП n+p-канал.x2, полевой, HEXFET, 30В, 5,8А, 2,5Вт

  • IRF7379QPBF - 228x228

Масса брутто: 0.23 g Групповая упаковка [pcs]: 190

Характеристики

Общие
Transistor kind HEXFET
Заряд затвора 16.7 (N)/16.7 (P)нC
Код завода IRF7379QPBF
Корпус SO8
Монтаж SMD
Мощность 2.5Вт
Напряжение затвор-исток 20В
Напряжение сток-исток 30В
Полярность полевой
Сопротивление в открытом состоянии 45мОм
Тепловое сопротивление переход-среда 50К/Вт
Тип транзистора N/P-MOSFET x2
Ток стока 5.8А
  • Производитель: INFINEON (IRF)
  • Модель: IRF7379QPBF
  • Цена от
Количество:

Материалы на сайте носят информационный характер, не является публичной офертой