IRF7351PBF - Транзистор: МОП n-канал.x2, полевой, HEXFET, 60В, 8А, 2Вт, SO8

  • IRF7351PBF - 228x228

Масса брутто: 0.22 g Групповая упаковка [pcs]: 190

Файлы документации

Характеристики

Общие
Transistor kind HEXFET
Заряд затвора 24нC
Код завода IRF7351PBF
Корпус SO8
Монтаж SMD
Мощность 2Вт
Напряжение затвор-исток 20В
Напряжение сток-исток 60В
Полярность полевой
Сопротивление в открытом состоянии 17.8мОм
Тепловое сопротивление переход-среда 62.5К/Вт
Тип транзистора N-MOSFET x2
Ток стока
  • Цена от
Количество:

Материалы на сайте носят информационный характер, не является публичной офертой