IRF7341PBF - Транзистор: МОП n-канал.x2, полевой, HEXFET, 55В, 4,7А, 2Вт, SO8

  • IRF7341PBF - 228x228

Масса брутто: 0.17 g Групповая упаковка [pcs]: 380

Файлы документации

Характеристики

Общие
Transistor kind HEXFET
Заряд затвора 24нC
Код завода IRF7341PBF
Корпус SO8
Монтаж SMD
Мощность 2Вт
Напряжение затвор-исток 20В
Напряжение сток-исток 55В
Полярность полевой
Сопротивление в открытом состоянии 50мОм
Тепловое сопротивление переход-среда 62.5К/Вт
Тип транзистора N-MOSFET x2
Ток стока 4.7А
  • Цена от
Количество:

Материалы на сайте носят информационный характер, не является публичной офертой