IRF7101PBF - Транзистор: МОП n-канал.x2, полевой, HEXFET, 20В, 3,5А, 2Вт, SO8

  • IRF7101PBF - 228x228

Масса брутто: 0.18 g Групповая упаковка [pcs]: 570

Файлы документации

Характеристики

Общие
Transistor kind HEXFET
Заряд затвора 10нC
Код завода IRF7101PBF
Корпус SO8
Монтаж SMD
Мощность 2Вт
Напряжение затвор-исток 12В
Напряжение сток-исток 20В
Полярность полевой
Сопротивление в открытом состоянии 100мОм
Тепловое сопротивление переход-среда 62.5К/Вт
Тип транзистора N-MOSFET x2
Ток стока 3.5А
  • Цена от
Количество:

Материалы на сайте носят информационный характер, не является публичной офертой