Товар опубликован в разделах:
Полупроводники и аксессуары > Транзисторы > Транзисторы униполярные > Транзисторы с каналом типа N > Транзисторы с каналом N SMD
Полупроводники и аксессуары > Транзисторы > Транзисторы униполярные > Транзисторы с каналом типа N > Транзисторы с каналом N SMD
IRF6708S2TR1PBF - Транзистор: МОП n-канальный, полевой, HEXFET, 30В, 36А, 20Вт
Масса брутто: 0.29 g Групповая упаковка [pcs]: 30
Характеристики
| Общие | |
|---|---|
| Transistor kind | HEXFET |
| Заряд затвора | 6.6нC |
| Код завода | IRF6708S2TR1PBF |
| Корпус | DirectFET |
| Монтаж | SMD |
| Мощность | 20Вт |
| Напряжение затвор-исток | 20В |
| Напряжение сток-исток | 30В |
| Полярность | полевой |
| Сопротивление в открытом состоянии | 14.3мОм |
| Тепловое сопротивление переход-корпус | 7.6К/Вт |
| Тип транзистора | МОП n-канальный |
| Ток стока | 36А |