Товар опубликован в разделах:
Полупроводники и аксессуары > Транзисторы > Транзисторы униполярные > Транзисторы с каналом типа P > Транзисторы с каналом P SMD
Полупроводники и аксессуары > Транзисторы > Транзисторы униполярные > Транзисторы с каналом типа P > Транзисторы с каналом P SMD
IRF5210SPBF - Транзистор: МОП р-канальный, полевой, HEXFET, -100В, -400мА, 3,8Вт
Масса брутто: 2.31 g Групповая упаковка [pcs]: 100
Файлы документации
Характеристики
Общие | |
---|---|
Transistor kind | HEXFET |
Заряд затвора | 120нC |
Код завода | IRF5210SPBF |
Корпус | D2PAK |
Монтаж | SMD |
Мощность | 3.8Вт |
Напряжение затвор-исток | 20В |
Напряжение сток-исток | -100В |
Полярность | полевой |
Сопротивление в открытом состоянии | 60мОм |
Тепловое сопротивление переход-корпус | 750мК/Вт |
Тип транзистора | МОП р-канальный |
Ток стока | -400мА |