IRF5210SPBF - Транзистор: МОП р-канальный, полевой, HEXFET, -100В, -400мА, 3,8Вт

  • IRF5210SPBF - 228x228

Масса брутто: 2.31 g Групповая упаковка [pcs]: 100

Файлы документации

Характеристики

Общие
Transistor kind HEXFET
Заряд затвора 120нC
Код завода IRF5210SPBF
Корпус D2PAK
Монтаж SMD
Мощность 3.8Вт
Напряжение затвор-исток 20В
Напряжение сток-исток -100В
Полярность полевой
Сопротивление в открытом состоянии 60мОм
Тепловое сопротивление переход-корпус 750мК/Вт
Тип транзистора МОП р-канальный
Ток стока -400мА
  • Производитель: INFINEON (IRF)
  • Модель: IRF5210SPBF
  • Цена от
Количество:

Материалы на сайте носят информационный характер, не является публичной офертой