BS616LV801EIP55 - Микросхема памяти, SRAM, 512Кx16бит, 2,4÷5,5В, 55нс, TSOP44 II

  • BS616LV801EIP55 - 228x228

Масса брутто: 0.06 kg Групповая упаковка [pcs]: 2

Характеристики

Общие
Вид памяти SRAM
Время доступа 55нс
Емкость памяти 8Мбит
Код завода BS616LV801EIP55
Корпус TSOP44 II
Монтаж SMD
Рабочее напряжение 2.4...5.5В
Структура памяти 512Кx16бит
Тип микросхемы микросхема памяти
  • Цена от
Количество:

Материалы на сайте носят информационный характер, не является публичной офертой