Товар опубликован в разделах:
Полупроводники и аксессуары > Интегральные схемы > Память - интегральные схемы > Запомин. уст-ва SRAM - интеграль. схемы > Запоминающие уст-ва SRAM параллельные
Полупроводники и аксессуары > Интегральные схемы > Память - интегральные схемы > Запомин. уст-ва SRAM - интеграль. схемы > Запоминающие уст-ва SRAM параллельные
AS6C2016-55ZIN - Микросхема памяти, SRAM, 128Кx16бит, 2,7÷5,5В, 55нс, TSOP44 II
Характерные особенности: low power synchronous Масса брутто: 1.25 g Групповая упаковка [pcs]: 270
Характеристики
| Общие | |
|---|---|
| Вид памяти | SRAM |
| Время доступа | 55нс |
| Емкость памяти | 2Мбит |
| Код завода | AS6C2016-55ZIN |
| Корпус | TSOP44 II |
| Монтаж | SMD |
| Рабочее напряжение | 2.7...5.5В |
| Структура памяти | 128Кx16бит |
| Тип микросхемы | микросхема памяти |