Товар опубликован в разделах:
Полупроводники и аксессуары > Интегральные схемы > Память - интегральные схемы > Запомин. уст-ва SRAM - интеграль. схемы > Запоминающие уст-ва SRAM параллельные
Полупроводники и аксессуары > Интегральные схемы > Память - интегральные схемы > Запомин. уст-ва SRAM - интеграль. схемы > Запоминающие уст-ва SRAM параллельные
AS6C2016-55BIN - Микросхема памяти, SRAM, 128Кx16бит, 2,7÷5,5В, 55нс, TFBGA48
Характерные особенности: low power synchronous Масса брутто: 0.43 g Групповая упаковка [pcs]: 480
Файлы документации
Характеристики
Общие | |
---|---|
Вид памяти | SRAM |
Время доступа | 55нс |
Емкость памяти | 2Мбит |
Код завода | AS6C2016-55BIN |
Корпус | TFBGA48 |
Монтаж | SMD |
Рабочее напряжение | 2.7...5.5В |
Структура памяти | 128Кx16бит |
Тип микросхемы | микросхема памяти |