Товар опубликован в разделах:
Полупроводники и аксессуары > Интегральные схемы > Память - интегральные схемы > Запомин. уст-ва EEPROM - интегр. схемы > Запоминающ. уст-ва EEPROM последователь.
Полупроводники и аксессуары > Интегральные схемы > Память - интегральные схемы > Запомин. уст-ва EEPROM - интегр. схемы > Запоминающ. уст-ва EEPROM последователь.
25LC080CT-I/MNY - Микросхема памяти, EEPROM, SPI, 1024x8бит, 1,8÷5,5В, 10МГц, TDFN8
Память; EEPROM; SPI; 1024x8бит; 1,8÷5,5В; 10МГц; TDFN8
Файлы документации
Характеристики
| Общие | |
|---|---|
| Вид памяти | EEPROM |
| Время доступа | 5мс |
| Емкость памяти | 8кбит |
| Интерфейс | SPI |
| Код завода | 25LC080CT-I/MNY |
| Количество циклов макс. | 1000000 |
| Корпус | TDFN8 |
| Монтаж | SMD |
| Рабочее напряжение | 1.8...5.5В |
| Структура памяти | 1024x8бит |
| Тактовая частота | 10МГц |
| Тип микросхемы | микросхема памяти |
| Рабочая температура | -40...85°C |