Товар опубликован в разделах:
Полупроводники и аксессуары > Интегральные схемы > Память - интегральные схемы > Запомин. уст-ва EEPROM - интегр. схемы > Запоминающ. уст-ва EEPROM последователь.
Полупроводники и аксессуары > Интегральные схемы > Память - интегральные схемы > Запомин. уст-ва EEPROM - интегр. схемы > Запоминающ. уст-ва EEPROM последователь.
11LC080-I/SN - Микросхема памяти, EEPROM, UNI/O, 1024x8бит, 2,5÷5,5В, 100кГц, SO8
Память; EEPROM; UNI/O; 1024x8бит; 2,5÷5,5В; 100кГц; SO8
Файлы документации
Характеристики
| Общие | |
|---|---|
| Вид памяти | EEPROM |
| Время доступа | 5мс |
| Емкость памяти | 8кбит |
| Интерфейс | UNI/O |
| Код завода | 11LC080-I/SN |
| Количество циклов макс. | 1000000 |
| Корпус | SO8 |
| Монтаж | SMD |
| Рабочее напряжение | 2.5...5.5В |
| Структура памяти | 1024x8бит |
| Тактовая частота | 100кГц |
| Тип микросхемы | микросхема памяти |
| Рабочая температура | -40...125°C |