11AA010-I/P - Микросхема памяти, EEPROM, UNI/O, 128x8бит, 1,8÷5,5В, 100кГц, DIP8

  • 11AA010-I/P - 228x228

Память; EEPROM; UNI/O; 128x8бит; 1,8÷5,5В; 100кГц; DIP8

Файлы документации

Характеристики

Общие
Вид памяти EEPROM
Время доступа 5мс
Емкость памяти 1кбит
Интерфейс UNI/O
Код завода 11AA010-I/P
Количество циклов макс. 1000000
Корпус DIP8
Монтаж THT
Рабочее напряжение 1.8...5.5В
Структура памяти 128x8бит
Тактовая частота 100кГц
Тип микросхемы микросхема памяти
Рабочая температура -40...85°C
  • Цена от
Количество:

Материалы на сайте носят информационный характер, не является публичной офертой