Channel kind

Transistor kind

Вид упаковки

Время включения

Время выключения

Выход

Выходной ток

Заряд затвора

Корпус

Монтаж

Мощность

Напряжение затвор-исток

Напряжение коллектор-эмиттер

Напряжение сток-исток

Номинальный ток

Полярность

Принципиальная схема

Серия

Сопротивление в открытом состоянии

Тепловое сопротивление переход-корпус

Тепловое сопротивление переход-среда

Технология

Тип канала

Тип транзистора

Ток коллектора

Ток стока

Производитель

Транзисторы с каналом N SMD | Страница: 60

Транзисторы с каналом N SMD | Страница: 60 - 100x100

Сравнение товаров (0)


PSMN015-100B - 190x210

PSMN015-100B - Транзистор: полевой n-канальный, TrenchMOS, полевой, 100В, 75А

Масса брутто: 1.56 g Групповая упаковка [pcs]: 50 ..

по запросу



PSMN0R9-25YLC.115 - 190x210

PSMN0R9-25YLC.115 Транзистор: МОП n-канальный, полевой, 25В, 100А, 272Вт, SOT669

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 25В; 100А; 272Вт; SOT669..

109.98 руб.



PSMN2R0-30YL - 190x210

PSMN2R0-30YL - Транзистор: полевой n-канальный, TrenchMOS, полевой, 30В, 100А

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 100А; 97Вт; SOT669..

125.58 руб.



PSMN4R0-30YL - 190x210

PSMN4R0-30YL - Транзистор: полевой n-канальный, TrenchMOS, полевой, 30В, 100А

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 100А; 69Вт; SOT669..

по запросу



PSMN4R0-40YS - 190x210

PSMN4R0-40YS - Транзистор: полевой n-канальный, TrenchMOS, полевой, 40В, 100А

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 100А; 106Вт; SOT669..

по запросу



RFD14N05LSM - 190x210

RFD14N05LSM - Транзистор: МОП n-канальный, полевой, 50В, 14А, 14Вт, TO252AA

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 50В; 14А; 48Вт; TO252AA..

по запросу



SI4178DY-T1-GE3 - 190x210

SI4178DY-T1-GE3 Транзистор: МОП n-канальный, полевой, 30В, 12А, 5Вт, SO8

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 6,7А; 5Вт; SO8..

35.88 руб.



SI4410BDY-E3 - 190x210

SI4410BDY-E3 - Транзистор: МОП n-канальный, полевой, 30В, 10А, 2,5Вт, SO8

Масса брутто: 0.23 g Групповая упаковка [pcs]: 2500 ..

48.36 руб.



SI4466DY-E3 - 190x210

SI4466DY-E3 - Транзистор: МОП n-канальный, полевой, 20В, 13,5А, 3Вт, SO8

Масса брутто: 0.15 g Групповая упаковка [pcs]: 43 ..

по запросу



SI4490DY-E3 - 190x210

SI4490DY-E3 - Транзистор: МОП n-канальный, полевой, 200В, 4А, 3,1Вт, SO8

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 3,2А; 3,1Вт; SO8..

по запросу



SI4800BDY-E3 - 190x210

SI4800BDY-E3 - Транзистор: МОП n-канальный, полевой, 30В, 9А, 2,5Вт, SO8

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 7А; 2,5Вт; SO8..

34.32 руб.



SI4840BDY-E3 - 190x210

SI4840BDY-E3 - Транзистор: МОП n-канальный, полевой, 40В, 12,4А, 2,5Вт, SO8

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 9,9А; 6Вт; SO8..

67.86 руб.



SI4850EY-E3 - 190x210

SI4850EY-E3 - Транзистор: МОП n-канальный, полевой, 60В, 8,5А, 3,3Вт, SO8

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 7,1А; 3,3Вт; SO8..

82.68 руб.



SI4894BDY-T1-E3 - 190x210

SI4894BDY-T1-E3 - Транзистор: МОП n-канальный, полевой, 30В, 12А, 1,4Вт, SO8

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 9,5А; 2,5Вт; SO8..

44.46 руб.



SI4896DY-E3 - 190x210

SI4896DY-E3 - Транзистор: МОП n-канальный, полевой, 80В, 9,5А, 3,1Вт, SO8

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 7,6А; 3,1Вт; SO8..

95.16 руб.



SI4946BEY-E3 - 190x210

SI4946BEY-E3 - Транзистор: МОП n-канальный, полевой, 60В, 6,5А, 3,7Вт, SO8

Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 4,4А; 3,7Вт; SO8..

220.74 руб.



SI4946BEY-T1-E3 - 190x210

SI4946BEY-T1-E3 Транзистор: МОП n-канальный, полевой, 60В, 5,8А, 2,6Вт, SO8

Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 4,4А; 3,7Вт; SO8..

68.64 руб.



SI4946BEY-T1-GE3 - 190x210

SI4946BEY-T1-GE3 Транзистор: N-MOSFET, полевой, 60В, 5,8А, 2,6Вт, SO8

Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 4,4А; 3,7Вт; SO8..

67.08 руб.



SI4966DY-E3 - 190x210

SI4966DY-E3 - Транзистор: МОП n-канальный, полевой, 20В, 20А, 2Вт, SO8

Масса брутто: 0.45 g Групповая упаковка [pcs]: 20 ..

по запросу



SI4980DY-E3 - 190x210

SI4980DY-E3 - Транзистор: МОП n-канальный, полевой, 80В, 3,7А, 2Вт, SO8

Масса брутто: 0.02 g ..

по запросу



SI4982DY-E3 - 190x210

SI4982DY-E3 - Транзистор: МОП n-канальный, полевой, 100В, 2,6А, 2Вт, SO8

Масса брутто: 0.02 g Групповая упаковка [pcs]: 2500 ..

по запросу



SI7848BDP-T1-E3 - 190x210

SI7848BDP-T1-E3 - Транзистор: МОП n-канальный, полевой, 40В, 16А, 4,2Вт, SO8

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 12,8А; 36Вт; PowerPAK® SO8..

по запросу



SI9410BDY - 190x210

SI9410BDY - Транзистор: МОП n-канальный, полевой, 30В, 8,1А, 2,5Вт, SO8

Масса брутто: 0.23 g Групповая упаковка [pcs]: 20 ..

по запросу



SI9926CDY-E3 - 190x210

SI9926CDY-E3 - Транзистор: МОП n-канальный, полевой, 20В, 8А, 3,1Вт, SO8

Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 6,7А; 3,1Вт; SO8..

по запросу



SI9945BDY - 190x210

SI9945BDY - Транзистор: МОП n-канал.x2, полевой, 60В, 5,3А, 3,1Вт, SO8

Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 3,4А; 3,1Вт; SO8..

52.26 руб.



SIA850DJ-T1-GE3 - 190x210

SIA850DJ-T1-GE3 - Транзистор: МОП n-канальный, полевой, 190В, 950мА, 7Вт, SC70-6

Масса брутто: 0.05 g Групповая упаковка [pcs]: 1 ..

по запросу



SIB452DK-T1-GE3 - 190x210

SIB452DK-T1-GE3 - Транзистор: МОП n-канальный, полевой, 190В, 1,5А, 13Вт, SC75

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 190В; 0,53А; 13Вт; DPAK..

по запросу



SN7002NH6327XTSA2 - 190x210

SN7002NH6327XTSA2 Транзистор: МОП n-канальный, полевой, 60В, 200мА, 360мВт, SOT23

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,2А; 0,36Вт; SOT23..

4.68 руб.



SN7002WH6327XTSA1 - 190x210

SN7002WH6327XTSA1 Транзистор: МОП n-канальный, полевой, 60В, 230мА, 500мВт, SOT323

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,23А; 0,5Вт; SOT323..

4.68 руб.



SPB07N60C3 - 190x210

SPB07N60C3 - Транзистор: МОП n-канальный, полевой, 650В, 7,3А, 83Вт, D2PAK

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 7,3А; 83Вт; PG-TO263-3..

426.66 руб.



Показано с 1771 по 1800 из 1858 (Всего страниц: 62)

Материалы на сайте носят информационный характер, не является публичной офертой