Topology

Версия

Время включения

Время выключения

Выходное напряжение

Выходной ток

Импульсный ток

Конструкция диода

Корпус

Монтаж

Мощность

Напряжение затвор - эмиттер

Напряжение коллектор-эмиттер

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

Номинальный ток

Обратное напряжение макс.

Применение

Принципиальная схема

Рабочая температура

Размеры

Тип микросхемы

Тип модуля

Тип полупроводникового элемента

Тип транзистора

Ток коллектора

Ток коллектора в импульсе

Электрический монтаж

Производитель

Модули IGBT | Страница: 6

Модули IGBT | Страница: 6 - 100x100

Сравнение товаров (0)


PSSI50/12 - 190x210

PSSI50/12 Модуль: IGBT, 33А, 208Вт, ECO-PAC 2, 1,2кВ, Ifsm:50А, под пайку

Тормозной транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 33А; ECO-PAC 2; под пайку..

по запросу



PSSI75/06 - 190x210

PSSI75/06 Модуль: IGBT, 48А, 208Вт, ECO-PAC 2, 600В, Ifsm:100А, под пайку

Тормозной транзистор; Urmax: 600В; Ic: 48А; ECO-PAC 2; под пайку..

по запросу



PSSI75/12 - 190x210

PSSI75/12 Модуль: IGBT, 62А, 379Вт, ECO-PAC 2, 1,2кВ, Ifsm:100А, под пайку

Тормозной транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 62А; ECO-PAC 2; под пайку..

по запросу



SEMIX101GD12VS - 190x210

SEMIX101GD12VS - Трехфазный диодный мост, 1,2кВ, 159А, SEMIX13

3-фазный мост IGBT,термистор NTC; Urmax: 1,2кВ; Ic: 121А; SEMIX13..

по запросу



SEMIX402GAL066HDS - 190x210

SEMIX402GAL066HDS Модуль: IGBT, 600В, 379А, SEMIX2S

Тормозной транзистор; Urmax: 600В; Ic: 379А; SEMIX2S; винтами..

по запросу



SGP07N120 - 190x210

SGP07N120 - Транзистор: IGBT, 1,2кВ, 16,5А, 125Вт, TO220

Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 16,5А; 125Вт; TO220AB..

301.08 руб.



SGP15N120 - 190x210

SGP15N120 - Транзистор: IGBT, 1,2кВ, 30А, 198Вт, TO220

Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 30А; 198Вт; TO220AB..

401.70 руб.



SGP30N60 - 190x210

SGP30N60 - Транзистор: IGBT, 600В, 30А, 250Вт, TO220AB

Масса брутто: 2.79 g Групповая упаковка [pcs]: 50 ..

по запросу



SGW30N60HS - 190x210

SGW30N60HS - Транзистор: IGBT, 600В, 30А, 250Вт, TO247AC

Масса брутто: 8.47 g Групповая упаковка [pcs]: 240 ..

по запросу



SK35GAL12T4 - 190x210

SK35GAL12T4 - Транзистор: IGBT, 1,2кВ, 35А, SEMITOP2

Тормозной транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 35А; SEMITOP2; V: T2..

по запросу



SKIIP01NEC066V3 - 190x210

SKIIP01NEC066V3 - Транзистор: IGBT, 600В, 12А, MiniSKiiP0

1-фазный диодный мост,3-фазный мост IGBT,термистор; Ic: 11А..

по запросу



SKIIP38NAB12T4V1 - 190x210

SKIIP38NAB12T4V1 Модуль: IGBT, 1,2кВ, 115А, MiniSKiiP® 3

3-фазный мост IGBT,3-фазный диодный мост,термистор; Ic: 93А..

по запросу



SKIM200GD126D - 190x210

SKIM200GD126D - Транзистор: IGBT, 1,2кВ, 200А, SKiM4

3-фазный мост IGBT,термистор NTC; Urmax: 1,2кВ; Ic: 180А; SKiM4..

по запросу



SKM100GB125DN - 190x210

SKM100GB125DN - Транзистор: IGBT, 1,2кВ, 100А, SEMITRANS2N

Полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ; Ic: 80А; SEMITRANS2N; V: D93; винтами..

по запросу



SKM100GB12T4 - 190x210

SKM100GB12T4 Модуль: IGBT, 1,2кВ, 100А, SEMITRANS2

Полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ; Ic: 100А; SEMITRANS2; винтами; винтами..

по запросу



SKM100GB12T4G - 190x210

SKM100GB12T4G Модуль: IGBT, 1,2кВ, 100А, SEMITRANS3

Полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ; Ic: 118А; SEMITRANS3; винтами; винтами..

по запросу



SKM100GB12V - 190x210

SKM100GB12V Модуль: IGBT, 1,2кВ, 100А, SEMITRANS2

Полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ; Ic: 100А; SEMITRANS2; винтами; винтами..

по запросу



SKM100GB176D - 190x210

SKM100GB176D - Транзистор: IGBT, 1,7кВ, 125А, SEMITRANS2

Полумост IGBT; Urmax: 1,7кВ; Ic: 75А; SEMITRANS2; V: D61; винтами..

по запросу



SKM150GB12T4 - 190x210

SKM150GB12T4 Модуль: IGBT, 1,2кВ, 150А, SEMITRANS2

Полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ; Ic: 150А; SEMITRANS2; винтами; винтами..

по запросу



SKM150GB12T4G - 190x210

SKM150GB12T4G Модуль: IGBT, 1,2кВ, 150А, D56,SEMITRANS3

Полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ; Ic: 172А; SEMITRANS3; V: D56; винтами..

по запросу



SKM180A020 - 190x210

SKM180A020 - Транзистор: IGBT, 200В, 180А, SEMITRANSM1

Urmax: 200В; Ic: 135А; SEMITRANSM1; V: D15; винтами; винтами..

по запросу



SKM195GB126D - 190x210

SKM195GB126D Модуль: IGBT, 1,2кВ, 150А, SEMITRANS2

Полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ; Ic: 150А; SEMITRANS2; винтами; винтами..

по запросу



SKM200GAL125D - 190x210

SKM200GAL125D - Транзистор: IGBT, 1,2кВ, 200А, SEMITRANS3

Тормозной транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 20А; SEMITRANS3; V: D56..

по запросу



SKM200GAL173D - 190x210

SKM200GAL173D - Транзистор: IGBT, 1,7кВ, 220А, SEMITRANS3

Масса брутто: 0.16 kg Групповая упаковка [pcs]: 12 ..

по запросу



SKM200GAR125D - 190x210

SKM200GAR125D - Транзистор: IGBT, 1,2кВ, 200А, SEMITRANS3

Тормозной транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 160А; SEMITRANS3; V: D56..

по запросу



SKM200GB123D - 190x210

SKM200GB123D - Транзистор: IGBT, 1,2кВ, 200А, SEMITRANS3

Масса брутто: 0.3 kg Групповая упаковка [pcs]: 12 ..

по запросу



SKM200GB125D - 190x210

SKM200GB125D - Транзистор: IGBT, 1,2кВ, 200А, SEMITRANS3

Полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ; Ic: 160А; SEMITRANS3; V: D56; винтами..

по запросу



SKM200GB12T4 - 190x210

SKM200GB12T4 Модуль: IGBT, 1,2кВ, 200А, D56,SEMITRANS3

Полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ; Ic: 241А; SEMITRANS3; V: D56; винтами..

по запросу



SKM200GB173D - 190x210

SKM200GB173D - Транзистор: IGBT, 1,7кВ, 200А, SEMITRANS3

Масса брутто: 0.31 kg Групповая упаковка [pcs]: 12 ..

по запросу



SKM200GBD126D - 190x210

SKM200GBD126D Модуль: IGBT, 1,2кВ, 186А, SEMITRANS3

Тормозной транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 186А; SEMITRANS3; винтами..

по запросу



Показано с 151 по 180 из 203 (Всего страниц: 7)

Материалы на сайте носят информационный характер, не является публичной офертой