Товар опубликован в разделах:
US1J-F3
Диод: импульсный; SMD; 600В; 1А; 75нс; Упаковка: бобина,лента; SMA
Характеристики
| Общие | |
|---|---|
| Производитель | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
| Монтаж | SMD |
| Корпус | SMA |
| Емкость | 10пФ |
| Тип диода | импульсный |
| Время готовности | 75нс |
| Импульсный ток | 30А |
| Падение напряжения макс. | 1,7В |
| Характеристики полупроводниковых элементов | сверхбыстрый диод |
| Обратное напряжение макс. | 600В |
| Прямой ток | 1А |
| Вид упаковки | бобина |
| Вид упаковки | лента |
| Конструкция диода | одиночный диод |