Товар опубликован в разделах:


STB6NK60ZT4

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 3,8А; 110Вт; D2PAK

Характеристики

Общие
Производитель ST MICROELECTRONICS
Тип транзистора N-MOSFET
Технология SuperMesh™
Полярность полевой
Напряжение сток-исток 600В
Ток стока 3,8А
Рассеиваемая мощность 110Вт
Корпус D2PAK
Напряжение затвор-исток ±30В
Сопротивление в открытом состоянии 1200мОм
Монтаж SMD
Вид упаковки бобина
Вид упаковки лента
Характеристики полупроводниковых элементов ESD protected gate
  • Цена от
Количество:

Материалы на сайте носят информационный характер, не является публичной офертой